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GSI Technology/GSIテクノロジー

高速・大容量シンクロナスSRAM

GSIテクノロジーは、1995年に米国シリコンバレーに設立された高性能・高速SRAMの専門メーカーです。8,500品種以上の豊富な製品ラインナップを展開し、お客様の様々なニーズにお応えしている高速SRAMのリーディングサプライヤです。GSIでは、0.25μm、0.15μm、0.13μm、90nmのCMOSプロセスを使い、優れた性能とスピードを兼ね備えた高容量SRAMをご提供いたします。また、GSI製品は、2.5V±10%、3.3V±10%の電源仕様に対応しており、電源電圧が変動しやすい環境においても安定動作するよう配慮しています。さらに、GSIテクノロジーでは、標準的な非同期、同期SRAMに加え、DDR-II,DDR-III,QDR-IIなど、最新のハイパフォーマンスSRAMを製品化しています。GSIテクノロジーは、今後もお客様へ最高のスピードとパフォーマンス、さらに高集積・大容量、高品質、高信頼性を提供いたします。

社名	GSI Technology, Inc.
所在地／設立	米国カリフォルニア州サンタクララ／1995年
URL	[HQ] www.gsitechnology.com

GSI Technologyの
お問い合わせ

03-5479-7023

製品情報

高容量・高速・高性能SRAM
DDR-II / QDR-II / NBT SRAM / Burst SRAM / Asynch Fast SRAM

GSIテクノロジーは、高速SRAM専門メーカーとして、同期式高速SRAM（1Mbit～144Mbit容量）、および非同期式高速SRAM（1Mbit～8Mbit容量）を提供しています。メモリ容量、メモリ構成においてラインナップが広く、TSOP、TQFP、FPBGA、WBGAなどパッケージ・ラインナップも豊富です。また、長期供給保証をしており、ライフの長い機器への使用にも対応しています。さらに、全製品に100%バーンイン出荷テスト、および100%高温低温動作テストを実施しており、高い信頼性が要求される基幹伝送装置、コアネットワーク装置、メディカル画像診断機器、およびイメージ・グラフィックス、リアルタイム画像処理装置などに幅広く採用されています。
また、独自技術により、他社製品より低消費電力です。パッケージ、およびピン配列はJEDEC規格に準拠していますので、他社の高速SRAMと互換性があり、置き換えが可能です。また、全製品でインダストリ温度グレード（-40℃～+85℃）を出荷可能です。

SigmaDDR-II SRAM（DDR-II SRAM 完全互換）

SigmaDDR-II SRAMは、DDR-II SRAM と完全互換の同期式DDR（Double Data Rate） SRAMで、18M/36M/72M/144Mbit容量（バス幅：x8, x9, x18, x36、最大333MHz動作）をラインナップしており、高速リード/ライト動作が求められるコアルータ、コアスイッチなどのフレームバッファメモリとして最適です。また、リアルタイム画像処理における高速バッファメモリとして、或いはルックアップテーブル用メモリとしても適しています。SigmaDDR-II SRAMには、データの入力ポートと出力ポートが共用となっているCIO（Common I/O）タイプと、入力ポートと出力ポートが独立しているSIO（Separate I/O）タイプがあります。CIOタイプはデータの書込み/読出しのどちらかが連続的に発生する用途に適しており、バースト長は2ワードと4ワードの製品があります。一方、SIOタイプはデータの書込み/読出しがランダムに発生する用途に適しており、バースト長は2ワードの製品のみとなります。

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SigmaQuad-II SRAM（QDR-II SRAM 完全互換）

SigmaQuad-II SRAMは、QDR-II SRAM と完全互換の同期式QDR（Quad Data Rate） SRAMで、18M/36M/72M/144Mbit容量（バス幅：x8, x9, x18, x36、最大333MHz動作）をラインナップしています。SigmaQuad-II SRAMは、大量のデータを高速にリード/ライトする用途に適しており、広帯域・大容量のメモリが要求される光伝送装置などに最適です。SigmaQuad-II SRAMは、リードとライトに独立したポートを備えておいるため、バス競合の心配が無く、リードとライトの同時動作が可能です。さらに、DDRインターフェースを組み合わせにより、同期式バーストSRAMに比べて、論理上4倍の帯域を得ることができます。バースト長は2ワードと4ワードの製品があります。

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同期 NBT SRAM

リード/ライトの切替え時にデッド・サイクルが発生しないタイプのバーストSRAMです。ネットワーク機器のバッファ・メモリに最適な同期式のSRAMで、4M/9M/18M/36M/72M/144Mbit容量（バス幅： x18, x32, x36, x72、最大333MHz動作）をラインナップをしています。NBTは No Bus Turnaround の略で、他社からリリースされているZBT™、NtRAM™、NoBL™とは完全互換です。同期式バーストSRAMでは、リード⇒ライト⇒リードの動作が続く場合に、リード・サイクルとライト・サイクルの間にウエイト・サイクルを必要としますが、NBT SRAMでは必要ありません。なお、パッケージ、およびピン配列はJEDEC標準を採用しています。FTピンの制御により、パイプライン/フロースルーの出力選択が可能です。なお、BGAパッケージ品には出力ドライブ電流を制御できるFLXDrive機能を備えたタイプがあり、IEEE1149.1に準拠したJTAGバウンダリスキャン機能も備えています。

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同期バーストSRAM

標準の同期式バーストSRAMで、2M/4M/9M/18M/36M/72M/144Mbit容量（バス幅： x18, x32, x36, x72、最大333MHz動作）をラインナップをしています。FTピンの制御により、パイプライン（PB）/フロースルー（FT）の出力選択が可能です。PB/FT は出力レジスタの有無の違いですが、PBの方が高い動作周波数に対応しています。BGA品では出力ドライブ電流を制御できるFLXDrive機能を備え、IEEE1149.1に準拠したJTAGバウンダリスキャン機能を備えたタイプが用意されています。SCD/DCD は /CE信号で出力をディセーブルにした場合、1クロック後にデータがハイ・インピーダンスになるタイプをSCD（Single Cycle Deselect）、2クロック後にハイ・インピーダンスになるタイプをDCD（Double Cycle Deserect）と呼んでいます。

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非同期高速SRAM

1M/2M/4M/8Mbit 容量（バス幅: x8, x16）の非同期高速SRAMをラインナップ、アクセスタイムは業界最速の 7ns/8ns/10ns 品をリリースしています。独自の低消費電力化テクノロジにより、動作消費電力は他社製品の2/3以下に抑えています。

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LLDRAM™-II

LLDRAM-II（Low Latency Dynamic RAM-II）は、レイテンシを少なくした、高速ランダム・アクセスが可能な超高速のDDR-SDRAMです。広帯域、大容量を特長としており、高性能ネットワーク機器や業務用グラフィックスなどに最適です。他社製 RLDRAM II™とは完全互換で、置き換えが可能です。

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