Power Discretes

シリコンカーバイド 半導体 (SiC)

高信頼性、高耐圧、高電流、低損失で、 高電圧システムのトータルコストの削減に貢献するSiC半導体を提供しています。

※他社 SiC 半導体の代替品の紹介も可能です。
詳細はお問い合わせフォームより問い合わせ下さい。

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絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT)

高耐圧、高電流に対応可能なIGBT製品を提供しています。
様々なパッケージラインナップを持ち、 ディスクリート製品を一体化したモジュール製品も提供しています。

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ダイオード・整流ダイオード

200V~1700Vのディスクリートダイオード製品を提供しています。

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RF MOSFET

50V~300V、2MHz~175MHz、50W~3kW のRFMOSFET製品を提供しています。

アプリケーション例： 

半導体製造装置、MRI、CO2レーザー、通信装置、レーザ ーマーカー、レーザーカッター、化学分析機

Si MOSFET

小信号用、パワー用の様々なMOSFETを提供しています。

・超高速、低ゲート容量 MOSFET
・高耐圧MOSFET (リニア・スーパージャンクション)
・相補型MOSFET (Complementary MOSFET Arrays)
・エンハンスモード MOSFET
・デプレッションモード MOSFET
・対放射線 MOSFET

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