シリコンカーバイド 半導体 (SiC)

SiC MOSFET

700V~3300V(3.3 kV), Rds on 17mΩ ~750mΩ

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SiC Schottky Barrier Diodes

700V~3300V(3.3 kV), IDS 10A~100A

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SiC Die

700V–3.3 kV, 17 mΩ–750 mΩ SiC MOSFETs
700V–3.3 kV, 10A–100A SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs)

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Die品 3.3kVは、NDAが必要な為、詳細は問い合わせフォームよりお問い合わせ下さい。

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SiC Module

700V–1700V, 2.1 mΩ–40 mΩ SiC MOSFETs
700V–1700V, 50A–600A SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs)
Baseless power modules

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SiC Gate Driver

ソフトウェアで立ち上げ、立下げ制御が可能なデジタル制御モジュールを提供しています。

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